Montado em um pacote de “pílula” hermeticamente selado com uma faixa de temperatura aprimorada e um padrão de irradiância estreito que fornece alta intensidade no eixo para excelente eficiência de acoplamento. Esses dispositivos oferecem potência significativamente maior do que GaAs em correntes de acionamento equivalentes e têm um comprimento de onda que corresponde à resposta de pico do silício. Seu pequeno tamanho permite a montagem de dispositivos com alta densidade.